性能提高5 倍，西数最新 QLC 颗粒写入速度达 60MB s

          西数称，他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND，而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 使用的则是 2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。
 
          BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽，而且其 QLC 版本拥有比 TLC 版本更小的芯片面积和更高的存储密度，而且虽然西数的 BiCS6 QLC 颗粒的堆叠层数比美光和 SK 海力士的 176 层 QLC 闪存要低一些，但存储密度却超越了它们。
 
          QLC 颗粒自它诞生的那天起就被网友们冠上“垃圾”的名头，原因就是它不仅写入寿命短，缓外写入速度还低的离谱。当消费者们看到 QLC 硬盘的产品宣传页面写着 2000MB/s的写入速度就兴冲冲的将其买回家时，他们还不知道这些硬盘的缓外写入速度实际上只有可怜的几十 MB 每秒，甚至不如机械硬盘。
 
          西数还称将为企业用户开发 200 多层的 BiCS + 闪存以满足数据中心对高容量和高性能的需求，与 BiCS6 相比，BiCS + 在储存密度将增长 55%，且其传输速度提高 60%，写入速度也会提高 15%。
 
          除此之外西数还公开了一些正在研发中的技术，比如通过粘合多个晶圆并使用其他先进技术制造具有 500 多层的 3D NAND，通过路线图得知该技术有望在 2032 年到来。